铠侠（Kioxia）宣布，第九代BiCS FLASH 1Tb TLC闪存已开始送样。新产品专为对性能有高要求、搭载人工智能（AI）功能的中低存储容量PC和智能手机等应用场景打造，融合了现有存储单元与先进的CMOS技术，大幅提升投资效益。

第九代BiCS FLASH 1Tb TLC闪存以铠侠创新的CBA（CMOS直接键合到存储阵列）技术以及OPS（同节距选择栅漏极）技术为基础，基于第八代BiCS FLASH技术的230层堆叠工艺与先进的CMOS技术研发而成，实现了4.8 Gb/s的NAND接口速度，相比第八代提升33%，性能比肩第十代产品。

铠侠强调，将继续推行双线并行发展战略，以满足尖端应用的多样化需求，同时提供具有竞争力的产品，提供最佳的投资效率。在该战略下，铠侠同步推进两条不同的产品线：第九代在相对较低的投资成本下提供高性能的同时实现卓越性能；第十代则通过先进的堆叠工艺实现超大容量与卓越性能。

铠侠表示，将秉承“记忆由芯，世界尤新”的使命，致力于加强其全球合作伙伴关系并追求进一步的创新，继续满足客户多样化需求，为新一代AI基础设施提供前沿存储解决方案。